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随着信息产业的发展，集成电路（也就是常说的“芯片”）成为手机、平板电脑等电子移动终端离不开的设备，而光刻机是半导体芯片制造业中的最核心设备。以光刻机为代表的高端半导体装备支撑着集成电路产业发展，芯片越做越小，集成的电路越来越多，能使终端变得小巧玲珑。在光刻机领域，上海微电子装备有限公司（下称“SMEE”）取得了重要突破，并在先进封装光刻机产品方面形成了系列化和量产化，在国际同类产品中处于先进水平，还实现了光刻机海外市场的销售突破。SMEE也被列入国家发改委2016年1月底公布的国家认定企业技术中心名单。在微观世界里“造房子"近日，在浦东张江园区SMEE展览馆里，SMEE人事总监贺跃进向《中国经济周刊》记者介绍了组成光刻机的核心部件。他将制造光刻机比作是在微观世界里“造房子”——成像系统由几十个直径为200~300毫米的透镜组成，定位精度都是纳米级。微米级的瞬时传输控制技术，犹如两架空客以1000/小时公里同步高速运动，在瞬间对接穿针引线；玻璃镜面加工等精度，误差不会超过0.5毫米。SMEE总经理贺荣明接受《中国经济周刊》记者采访时表示，光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价值量最大的部分，由于技术的超高难度导致在全世界形成了超高的技术门槛。据了解，当今世界能够拥有这种技术、生产这种产品的只有两三个国家的两三家公司。贺荣明表示，集成电路行业发展的很多技术路线、工艺路线是非常依赖于光科技的发展路线，所以从这个角度，它就成为信息产业集成电路行业发展的重要基石；从另一个角度来讲，我国正在进行大的结构调整，对集成电路产业提出了非常高的期待与要求，不仅涉及到整个国家的产品结构调整发展，从某种程度它也涉及到整个信息产业的安全，所以如何在集成电路行业拥有自己的核心装备，对国家国民经济的发展就至为重要。光刻机是集成度非常高，涉及的门类、领域、科技种类非常广泛的集成性的设备，由于这种设备的发展会牵引带动很多关键单元技术、子技术、子学科的发展，“牵一发而动全身”，它可以牵引推动整个高科技基础领域的发展。据了解，以光刻机为代表的产品主要应用于四大领域，芯片制造、芯片先进封装、LED制造、下一代显示屏制造。另外还有类光科技产品，包括激光封装、激光退火等设备，去年开始在试验，今年逐步开始小批生产，未来为移动穿戴、智能时代提供产品。贺荣明表示，光刻机的自主研发可以概括为一个“难”字，“因为难，有时候就逼着你没有后路背水一战去创新。”任何一个行业的发展，特别是高端装备的发展，其实最重要的还是人才，光刻机人才与其他行业相比，涉及面更广，有几十个专业，所有的技术在这个产品上汇聚、交杂，形成异常复杂的设备，对人才的广泛性、多样性提出更高要求。不要只埋头搞科研，还要会“沿途下蛋”贺荣明告诉记者，高端光刻机开发的周期非常长，难度也非常高，如果在整个过程中只是走研发的道路，而不是及时考虑产业化，那么对整个项目的开发、人才团队的鼓励都会带来管理上的困难。SMEE的决策者们在决定以高端光刻机开发为主线的同时，每天都在考虑当离高端产品的开发还有一定高峰要攀登的时候，在“半山腰”、在“山脚”下，能不能把已经掌握、部分掌握的技术变成产品，去服务于行业。基于这个思路，SMEE就形成了很多“沿途下蛋”的产品。比如说，同样是光刻机，它在前道的产业化应用难度非常高，但是后道的先进封装对光刻机的应用越来越广泛，可以先行进入，所以SMEE就抓住了这个契机，开发了一款适用于先进封装行业的光刻机。此前，这种光刻机完全依赖于进口，而今SMEE已经占领了80%以上的国内市场。现在市场上高端智能手机上都有SMEE自主研发的先进封装光刻机的功劳。这样一来，产品的研发形成了一种阶梯、波浪，“前面在不断瞄准高科技的发展，同时它不断把掌握的技术辐射为具有应用前景又能为国民经济、产业领域提供很好技术支撑的产品，这样两个目标形成一种互动、良性循环。既通过高科技的研发来锤炼人才，又通过产品的市场化来打造工程性人才，这种人才的分合汇聚组合让公司向两维领域发展（一维是技术高度，一维是产业宽度），不让公司变为纯粹的研发机构，同时也不让公司太功利化。这两者融合能为公司将来高端光刻机的发展提供良好的发展模式。”贺荣明表示。贺荣明直言，企业运营的最大压力在于技术突破和人才团队的聚焦与持续发展。由于我国技术基础比较薄弱，不但要攻克技术上的难点，还要解决攻克过程中的管理问题。在供应链的打造和高科技行业上受到国外的限制等，使得我国整个技术门类还不健全，整个资源链还不完善，现在一方面以自主创新为主，一方面用更宽泛的国际视野面向全球整合资源。“我国高速发展，吸引了全球高科技人才、组织对我们充满期待，这样迎来了利用国际资源解决自身瓶颈，使得SMEE在坚持自主创新的同时全球化、国际化。”从跟踪国际专利到不断掌握拥有完全自主知识产权的高端光刻设备的总体设计技术、集成技术和关键单元技术，SMEE形成了系列完整的产品，实现了“用中国人的光刻机造中国芯”的梦想。截至2015年底，SMEE获得的专利总数1800项左右，85%是发明专利，800项已获授权，其中国际发明专利140多项，获授权的国际发明专利42项。这些专利渗透在各个产品之中，为高科技产品走向世界提供自主知识产权的法律保障。SMEE在布局知识产权规划时,很早就成立了知识产权与技术管理部，有20多位知识产权工程师、法律专家，定期分析收集全球专业技术领域的各种专利，包括新产生专利、即将失效的专利等，每个季度,知识产权与技术管理部提交知识产权战略工作报告，以供SMEE进行战略决策。值得一提的是，每年SMEE以任务形式下达“专利指标”，并且与绩效考核挂钩，使产品进入市场不侵权不被起诉，“比如先进封装光刻机技术有400项专利在保护着它，使它很好地进入市场，用户可以放心使用，我们也不会受到竞争对手的干扰。”高科技企业发展，知识产权的战略规划与产品发展必须要同步。目前，SMEE已成为国家级知识产权示范企业。

米勒效应所产生的电容和峰值问题在日常工作中，属于一种比较常见的情况。在IGBT模块操作中，如果没有及时处理米勒电容问题，很容造成IGBT损坏。那么，寄生米勒电容有哪些危害?工程师应该如何快速的清除IGBT寄生米勒电容问题呢?就让我们通过下文进行详细的分析和介绍。在日常的工作过程中，IGBT模块操作时一旦出现了米勒效应的寄生电容问题，往往见于明显的在0到15V类型的门极驱动器，也就是工程师们常说的单电源驱动器。门集-电极之间的耦合在IGBT关断期间，高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通，也就是门集电压尖峰，这对于IGBT乃至整机来说，都是一种潜在的危险。通常情况下，为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容，第二是通过使用负门极驱动。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题，工程师需要依据实际情况进行比较和判断。目前业内所采用通过缩短门极—发射极的路径，用一个晶体管放在门极—发射极之间是一种比较常用的方法。这种方法在达到一定的阈值之后，晶体管将造成门极—发射极地区的短路。我们将这种加入额外晶体管的技术称之为源米勒钳位，这种办法是能够有效消除米勒效应产生的寄生电容问题。结语工程师在了解了米勒效应寄生电容所产生的根本原因之后，可以因地制宜的进行解决方案的选择。及时消除米勒电容问题可以充分保证IGBT的正常工作运转，也能够有效的提升机体工作时长和工作效率。